 |
Meniu Principaloem softwarediscount software
|
|
IMPORTANT despre Examen
| Asa cum am discutat, examenul de Spice va unul de tip grila. Deja datele de examen au fost stabilite la ultimul curs.
Date de examen: (sali ore ca la avizier).
4 Iunie Seria C - toate grupele
17 iunie 421, 424D
21 iunie 423D, 422D
21 iunie seria E - toata seria
22 iunie seria A - toata seria |
|
Cartea de SPICE - teorie si aplicatii
| Sunteti Prima generatie de studenti care beneficiati de un curs tiparit la "tanara" disciplina "Modele SPICE". Partea a II-a contine si lucrarilde de laborator.
Pe parcursul acestor lucrari sunt inserate multe intrebari-raspunsuri, de genul celor date la examen. De asemenea contine si Teste Grila.
Cartea este si un manual ajutator pentru utilizatorii SPICE-ului in practica. Sunt simulate in SPICE circuite cu reactie negativa si oscilatoare pe care le studiati la DCE2. De asemenea proiectul de DCE 3 din anul III este prezentat ca un exemplu in ultimul capitol. |
|
Acumulati puncte de credit in timpul semestrului pentru nota finala
| Puteti acumula puncte de credit in timpul semestrului, pana in sesiune, care pot duce la marirea notei finale de la examen.
Astfel, raspunderea in scris la intrebarile propuse la Intrebari Frecvente Propuse se puncteaza cu 1 punct pentru I student care aduce raspunsul corect.
De asemenea mai acumulati puncte prin activitati optionale in timpul semestrului , precum: prezenta la curs (Nu e obligatoriu sa se faca la fiecare curs). |
|
Cursul de Dispozitive Electronice, util pentru studentii care urmaresc sa inteleaga bine fenomenele
| Cursul de Dispozitive Electronice, autor C. Ravariu, acopera DCE1, Modele Spice teoria de la curs si introduce capitole NOI, deja bine conturate la universitatile din vest: nanodispozitive, dispozitive ca elemente traductoare pentru senzori, biodispozitive. Va loviti de aceste NOI capitole la: cautarea unei burse in acest domeniu (micro-nanoelectronica), alegerea unui proiect de diploma/master in domeniu, participarea la conferinte nationale/internationale, cercetare si invatamant, fie in Romania, fie in strainatate, in zona Microelectronicii, Nanotehnologiilor invadate masiv de dispozitive moleculare si biodispozitive.
Contine probleme rezolvate la fiecare capitol, intrebari si raspunsuri comentate, o buna aprofundare a tranzistorului MOS, cel mai utilizat dispozitiv contemporan.
Este recomandata celor care au probleme cu DCE1, pentru cursul de SPICE, pentru studentii care se indreapta spre microelectronica si nanotehnologii.
Cartea se gaseste la sala B112 sau B029bis, in general dupa amiaza. |
|
Bine ati venit pe site-ul nostru !
| Pe acest site gasiti la sectiunea downloads laboratoarele la Spice (an II ,ETTI) .
Pentru informatii suplimentare va rugam sa ne contactati . |
| |
 |
|
|
A Aparut Cursul de SPICE teorie si aplicatii de laborator
Publicat de : Administrator la Vineri, 15 Aprilie 2005 - 03:28 PM
|
|
|
| |
2567 afiºãri
Contribuþia autorilor este urmãtoarea:
ª.l. dr. ing. Cristian Ravariu - subcapitolele 1.2, 1.3, 1.4 ºi capitolele 2, 3, 4 ºi 6.
ª.l. dr. ing. Florin Babarada - subcapitolul 1.1 ºi capitolele 5, 7 ºi 8.
Prof. dr. ing. Adrian Rusu, membru corespondent al Academiei Române, coordonator lucrare.
Cuprins:
Capitolul 1. Introducere, 12
1.1 SPICE – prezentare program, 12
1.2 Modele ale componentelor electronice, 16
1.3 Parametri de model – extractoare de parametri, 18
1.4 SPICE instrument software în firmele de proiectare IC, 22
Bibliografie, 26
Capitolul 2. Modele SPICE pentru diode 27
2.1 Descrierea unei diode în SPICE, 27
2.2 Modelarea caracteristicilor statice directe, 28
2.3 Modelarea capacitãþilor în polarizare inversã, 31
2.4 Modelarea caracteristicilor statice inverse, 32
2.5 Modelarea caracteristicilor în regimul de strãpungere, 32
2.6 Modelarea regimului de comutaþie, 34
2.7 Concluzii, 35
Bibliografie, 36
Capitolul 3. Modele SPICE ale Tranzistoarelor Bipolare 37
3.1 Descrierea unui tranzistor bipolar în SPICE, 37
3.2 Modelarea regimului static, 38
3.2.1 Modelul Ebers-Moll fundamental, 38
3.2.2 Efectul rezistenþelor serie, 43
3.2.3 Efectul Early, 48
3.2.4 Efectul curenþilor de generare-recombinare, 51
3.2.5 Efectul de nivel mare de injecþie, 54
3.3 Modelarea regimului dinamic al tranzistorului bipolar, 56
3.3.1 Modelarea capacitãþilor de tranziþie, 56
3.3.2 Modelarea capacitãþilor de difuzie, 58
3.3.3 Modelarea capacitãþii de substrat, 60
3.4 Modelul Ebers-Moll - Circuitul echivalent complet, 60
Bibliografie, 62
Capitolul 4. Modele SPICE ale tranzistorului MOS 63
4.1 Descrierea unui tranzistor MOS în SPICE, 63
4.2 Modele fundamentale ale regimului static, 64
4.2.1 Modelarea tensiunii de prag, 64
4.2.2 Modele integrale pentru caracteristicile statice, 65
4.2.3 Modelul Ihantola-Moll, 67
4.2.4 Modelul simplificat, 68
4.2.5 Modelul Merckel-Borel-Cupcea, 69
4.3 Perfecþionãri aduse modelului fundamental, 70
4.3.1 Scurtarea canalului în regim de saturaþie, 70
4.3.2 Atenuarea mobilitãþii sub influenþa câmpului electric, 71
4.4 Modelarea regimului dinamic al tranzistorului MOS, 74
4.4.1 Modelarea capacitãþii poartã-substrat, 74
4.4.2 Modelarea capacitãþilor poartã-sursã ºi poartã-drenã, 75
Bibliografie, 78
Capitolul 5. Modelarea compactã a tranzistorului MOS 79
5.1 Introducere, 79
5.2 Termeni de bazã, 81
5.3 Modelarea neliniaritãþilor în tranzistoarele CMOS, 84
5.4 Calculul distorsiunilor în circuitele CMOS analogice, 87
5.5 Modelarea compactã a efectelor de ordinul doi ale tranzistorului MOS, 89
5.6 Modelarea mobilitãþii purtãtorilor, 92
5.6.1 Efectul degradãrii mobilitãþii, 92
5.6.2 Aspecte de mecanicã cuanticã, 92
5.7 Modelarea rezistenþei serie, 95
5.7.1 Componentele rezistenþei serie, 95
5.7.2 Expresia curentului de drenã, 98
5.8 Mãsurãtori experimentale, 99
5.9 Concluzii, 101
Bibliografie, 102
Capitolul 6. PARTS subprogram specializat în SPICE 106
6.1 Lucrarea 1 - Dioda, 106
6.1.1 Noþiuni introductive, 106
6.1.2 Lucrul cu PARTS – desfãºurarea lucrãrii, 108
6.1.3 Parcurgerea celor 5 ecrane, 109
6.1.4 Studiul unui circuit cu o diodã în programul SPICE, 114
6.1.5 Anexe extrase din foile de catalog ale diodelor, 115
6.2 Lucrarea 2 - Tranzistorul Bipolar, 119
6.2.1 Noþiuni introductive, 119
6.2.2 Desfãºurarea lucrãrii, 122
6.2.3 Parcurgerea celor 8 ecrane, 123
6.2.4 Anexe extrase din foile de catalog ale tranzistoarelor bipolare, 128
6.3 Lucrarea 3 - Tranzistorul MOS, 131
6.3.1 Spectrul programelor de simulare în microelectronicã, 131
6.3.2 Simulatorul ATHENA, 132
6.3.3 Simularea cu ATLAS a tranzistorului MOS, 136
6.3.4 Simularea unui inversor CMOS în SPICE, 139
6.3.5 Simularea unui circuit inversor CMOS cu VERILOG, 142
6.4 Teste de evaluare la disciplina “Modele Spiceâ€, 145
6.4.1 Teste pentru colocviu de laborator, 145
6.4.2 Teste grilã pentru examen, 146
Bibliografie, 148
Capitolul 7. Analiza circuitelor cu SPICE 150
7.1 Introducere, 150
7.2 Analiza DC, 151
7.3 Analiza AC, 158
7.4 Variabilele de ieºire SPICE, 164
7.5 Exemple de analizã în SPICE, 169
7.5.1 Analiza PSF-ului, 169
7.5.2 Analiza parametrilor circuitelor, 172
7.5.3 Analiza circuitelor cu reacþie negativã, 183
7.5.4 Analiza circuitelor cu reacþie pozitivã, 194
Bibliografie, 206
Capitolul 8. Proiectarea circuitelor cu SPICE 207
8.1 Tema de proiectare, 207
8.2 Setul de date de intrare, 208
8.3 Schema electronicã, 208
8.4 Dimensionarea reþelei de reacþie, 209
8.5 Proiectarea amplificatorului de ieºire, 212
8.6 Proiectarea amplificatorului de intrare, 215
8.7 Simularea corectorului de ton, 217
8.8 Sursa de alimentare, 220
8.9 Lista componentelor, 232
Bibliografie, 234
---------------------------------------------------------------------------------------------
708 _WORDSMORE
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
